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半导体技术杂志

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半导体技术杂志 北大期刊统计源期刊

Semiconductor Technology
主要栏目:

趋势与展望半导体集成电路半导体器件半导体制备技术先进封装技术

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半导体技术杂志简介预计审稿时间:1-3个月

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a.来稿只要观点明确,言之有物,论证严密,说理透彻。

b.内文中的文字论述清楚明了,要使用规范词语。

c.第一作者简介:姓名(出生年-),性别(民族——汉族可省略),籍贯(具体到县级),职称职务,学位,研究方向(此项可省略)。

d.论文须附中、英文摘要;中文摘要200—300字,英文摘要150—200词。另请择出能反映全文主要内容的关键词2—4个。

e.参考文献按出现的次序列在文末,并在文中对应位置以右上角方括弧中的数字表示。详细参考文献格式,见往期杂志。

杂志简介:

半导体技术杂志月刊知识丰富,内容广泛,贴近大众,自1976年创刊以来广受好评,注重视角的宏观性、全局性和指导性,在业界形成了一定影响和良好口碑。

半导体技术杂志“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。

半导体技术历史收录

统计数据

被引次数和发文量统计数据

杂志被引次数

杂志发文量

年度被引次数统计数据

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章见刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

在2012年的被引次数

2 38 71 74 69 49 55 31 33 23

被本刊自己引用的次数

0 7 21 14 13 4 5 4 4 1

被引次数的累积百分比

0.0038 0.0766 0.2126 0.3544 0.4866 0.5805 0.6858 0.7452 0.8084 0.8525

本刊文章见刊的年份

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

在2013年的被引次数

7 43 37 71 64 68 46 44 24 25

被本刊自己引用的次数

4 10 11 7 7 4 3 1 0 1

被引次数的累积百分比

0.0132 0.094 0.1635 0.297 0.4173 0.5451 0.6316 0.7143 0.7594 0.8064

本刊文章见刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次数

5 38 52 57 63 68 56 48 29 32

被本刊自己引用的次数

2 17 8 9 7 9 4 5 0 3

被引次数的累积百分比

0.0088 0.0753 0.1664 0.2662 0.3765 0.4956 0.5937 0.6778 0.7285 0.7846

本刊文章见刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

在2015年的被引次数

13 31 51 54 57 59 66 65 46 26

被本刊自己引用的次数

4 7 17 6 6 5 7 9 1 1

被引次数的累积百分比

0.0205 0.0695 0.1501 0.2354 0.3254 0.4186 0.5229 0.6256 0.6983 0.7393

本刊文章见刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次数

10 49 48 57 45 48 60 43 34 36

被本刊自己引用的次数

2 13 14 10 4 3 8 5 6 3

被引次数的累积百分比

0.0178 0.105 0.1904 0.2918 0.3719 0.4573 0.5641 0.6406 0.7011 0.7651

本刊文章见刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次数

17 45 52 45 47 51 45 47 38 49

被本刊自己引用的次数

6 10 8 12 15 3 5 1 3 5

被引次数的累积百分比

0.028 0.102 0.1875 0.2615 0.3388 0.4227 0.4967 0.574 0.6365 0.7171

本刊文章见刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次数

16 52 54 36 39 33 46 41 48 35

被本刊自己引用的次数

5 15 8 10 3 0 6 3 2 3

被引次数的累积百分比

0.0277 0.1176 0.2111 0.2734 0.3408 0.3979 0.4775 0.5484 0.6315 0.692

本刊文章见刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次数

16 59 67 49 47 40 32 41 31 42

被本刊自己引用的次数

6 16 19 10 6 7 4 5 3 8

被引次数的累积百分比

0.0258 0.1208 0.2287 0.3076 0.3833 0.4477 0.4992 0.5652 0.6151 0.6828

本刊文章见刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次数

13 78 69 72 39 48 32 26 33 30

被本刊自己引用的次数

8 21 19 13 18 7 10 7 4 1

被引次数的累积百分比

0.0189 0.1323 0.2326 0.3372 0.3939 0.4637 0.5102 0.548 0.5959 0.6395

本刊文章见刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2021年的被引次数

19 69 107 70 59 30 37 20 23 24

被本刊自己引用的次数

3 18 28 21 23 8 7 4 8 5

被引次数的累积百分比

0.0288 0.1335 0.2959 0.4021 0.4917 0.5372 0.5933 0.6237 0.6586 0.695

本刊文章见刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次数

9 79 68 71 51 48 37 20 22 22

被本刊自己引用的次数

1 18 9 6 5 8 3 1 3 3

被引次数的累积百分比

0.0137 0.1335 0.2367 0.3445 0.4219 0.4947 0.5508 0.5812 0.6146 0.648

文章摘录

FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化

蓝光发射钙钛矿薄膜的制备与光学特性

退火温度对TiO2/ZnO复合纳米棒光学性能的影响

硫化气压对溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜性能的影响

封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响

28nm工艺制程SRAM高低温失效分析

2019年主要栏目设置

陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估

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