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半导体信息杂志

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半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information
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企业指南国内外半导体技术与器件市场动态

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半导体信息杂志简介预计审稿时间:1个月内

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a.关键词:3-5个,以分号相隔。应尽量使用叙词,无法用叙词的则应根据文章内容合理提取反映主题的自由词。

b.基金资助,在论文首页下方,以脚注注明基金类别和项目编号。

c.文稿务求内容精炼,论点明确,论证严密,数据准确,文字简练、规范,标点正确。

d.稿件首页内容包括题名,每位作者的姓名、学历、技术职称及工作单位,负责与编辑部联系的通讯作者的姓名及其详细通讯地址、电话、传真和Email,并标明正文字数、表数及图数。

e.参考文献应以作者亲自阅读的近5年内文献为主,按引用的先后顺序列出。

杂志简介:

半导体信息杂志(双月刊)知识丰富,内容广泛,贴近大众,自1990年创刊以来广受好评,注重视角的宏观性、全局性和指导性,在业界形成了一定影响和良好口碑。

统计数据

被引次数和发文量统计数据

杂志被引次数

杂志发文量

年度被引次数统计数据

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

本刊文章见刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008

在2012年的被引次数

1 0 0 4 2

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0.1429 0.1429 0.1429 0.7143 1

本刊文章见刊的年份

2013 2012 2011 2010

在2013年的被引次数

1 1 2 1

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0.2 0.4 0.8 1

本刊文章见刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次数

0 3 1 2 0 1 1 0 0 1

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0 0.3 0.4 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9

本刊文章见刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2015年的被引次数

1 2 1 0 1 1 1 1

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0.125 0.375 0.5 0.5 0.625 0.75 0.875 1

本刊文章见刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次数

0 2 3 1 2 0 2 1 0 1

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0 0.1538 0.3846 0.4615 0.6154 0.6154 0.7692 0.8462 0.8462 0.9231

本刊文章见刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次数

1 4 3 8 2 1 2 1 0 3

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0.04 0.2 0.32 0.64 0.72 0.76 0.84 0.88 0.88 1

本刊文章见刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次数

1 5 0 1 5 2 1 2 0 0

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0.0556 0.3333 0.3333 0.3889 0.6667 0.7778 0.8333 0.9444 0.9444 0.9444

本刊文章见刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次数

0 2 4 2 3 2 1 1 0 2

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0 0.1111 0.3333 0.4444 0.6111 0.7222 0.7778 0.8333 0.8333 0.9444

本刊文章见刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次数

0 1 0 4 1 4 1 0 1 2

被本刊自己引用的次数

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

被引次数的累积百分比

0 0.0667 0.0667 0.3333 0.4 0.6667 0.7333 0.7333 0.8 0.9333

文章摘录

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Microchip推出碳化硅(SiC)产品助力打造可靠的高压电子设备

意法半导体发起SiC攻势挑战英飞凌

UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块

罗姆推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC

英飞凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V单管新产品

英飞凌联合Schweizer开发出面向轻度混合动力汽车的芯片嵌入式功率MOSFET

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