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固体电子学研究与进展杂志

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固体电子学研究与进展杂志 北大期刊统计源期刊

Research & Progress of SSE Solid State Electronics
主要栏目:

三维集成射频微系统(专栏)器件物理与器件模拟射频微波与太赫兹光电子学硅微电子学材料与工艺研究简讯

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固体电子学研究与进展杂志简介预计审稿时间:1-3个月

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a.中文摘要(200字以内),关键词(3-8个),每词之间用分号分隔,置于正文之前。

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e.引用多作者文章合成之文集时,应首先注明特定文章作者,然后依次为文章名,文集编者名,收入该文之文集名,出版者,地点及版次,页码。

杂志简介:

固体电子学研究与进展杂志(双月刊)知识丰富,内容广泛,贴近大众,自1981年创刊以来广受好评,注重视角的宏观性、全局性和指导性,在业界形成了一定影响和良好口碑。

固体电子学研究与进展杂志刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件(OLED)和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文,论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

固体电子学研究与进展历史收录

统计数据

被引次数和发文量统计数据

杂志被引次数

杂志发文量

年度被引次数统计数据

2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章见刊的年份

2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003

在2012年的被引次数

1 25 24 33 21 19 16 12 8 8

被本刊自己引用的次数

0 10 3 5 4 1 1 1 0 1

被引次数的累积百分比

0.0051 0.1333 0.2564 0.4256 0.5333 0.6308 0.7128 0.7744 0.8154 0.8564

本刊文章见刊的年份

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004

在2013年的被引次数

2 15 30 19 22 16 18 15 9 10

被本刊自己引用的次数

0 6 13 3 8 1 5 4 1 0

被引次数的累积百分比

0.0104 0.0881 0.2435 0.342 0.456 0.5389 0.6321 0.7098 0.7565 0.8083

本刊文章见刊的年份

2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

在2014年的被引次数

1 20 27 25 22 12 14 13 6 13

被本刊自己引用的次数

0 10 9 6 3 1 1 3 0 1

被引次数的累积百分比

0.0053 0.1105 0.2526 0.3842 0.5 0.5632 0.6368 0.7053 0.7368 0.8053

本刊文章见刊的年份

2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

在2015年的被引次数

2 31 40 20 27 17 14 12 6 6

被本刊自己引用的次数

1 16 12 4 9 4 2 2 0 2

被引次数的累积百分比

0.0089 0.1473 0.3259 0.4152 0.5357 0.6116 0.6741 0.7277 0.7545 0.7812

本刊文章见刊的年份

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

在2016年的被引次数

2 14 33 27 25 21 18 12 13 9

被本刊自己引用的次数

0 7 8 6 4 5 2 2 4 0

被引次数的累积百分比

0.0084 0.0669 0.205 0.318 0.4226 0.5105 0.5858 0.636 0.6904 0.728

本刊文章见刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

在2017年的被引次数

4 26 24 34 33 16 26 23 9 8

被本刊自己引用的次数

1 5 4 9 2 4 3 4 1 0

被引次数的累积百分比

0.0164 0.123 0.2213 0.3607 0.4959 0.5615 0.668 0.7623 0.7992 0.832

本刊文章见刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009

在2018年的被引次数

3 23 31 31 29 25 20 20 13 5

被本刊自己引用的次数

1 6 9 7 3 2 3 3 3 0

被引次数的累积百分比

0.0115 0.1 0.2192 0.3385 0.45 0.5462 0.6231 0.7 0.75 0.7692

本刊文章见刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010

在2019年的被引次数

1 26 24 39 30 17 15 19 19 8

被本刊自己引用的次数

0 6 4 11 5 1 4 5 2 0

被引次数的累积百分比

0.004 0.1089 0.2056 0.3629 0.4839 0.5524 0.6129 0.6895 0.7661 0.7984

本刊文章见刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011

在2020年的被引次数

6 20 29 20 21 21 20 9 11 6

被本刊自己引用的次数

2 1 8 2 6 2 0 3 4 2

被引次数的累积百分比

0.029 0.1256 0.2657 0.3623 0.4638 0.5652 0.6618 0.7053 0.7585 0.7874

本刊文章见刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012

在2021年的被引次数

8 37 37 24 13 32 17 13 15 8

被本刊自己引用的次数

0 5 7 4 1 9 1 2 0 3

被引次数的累积百分比

0.0307 0.1724 0.3142 0.4061 0.4559 0.5785 0.6437 0.6935 0.751 0.7816

本刊文章见刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次数

6 44 30 33 26 15 23 15 11 4

被本刊自己引用的次数

0 9 8 3 3 4 3 4 1 0

被引次数的累积百分比

0.0226 0.1887 0.3019 0.4264 0.5245 0.5811 0.6679 0.7245 0.766 0.7811

文章摘录

W波段低损耗径向功率合成器设计

高工作电压GaAs HFET

具有缺陷地结构的双频微带天线设计

全可调滤波器研究进展

In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能

P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响

带输入缓冲电路的12位200兆流水线模数转换器

基于65 nm工艺的双模自适应连续时间线性均衡器设计

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  • 发行周期:双月刊
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