首页 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 工程技术 > 中科院4区 > JCRQ3 > 期刊介绍
评价信息:
影响因子:1.6
年发文量:310
《微电子可靠性》(Microelectronics Reliability)是一本以工程技术-工程:电子与电气综合研究为特色的国际期刊。该刊由Elsevier Ltd出版商创刊于1964年,刊期Monthly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-工程:电子与电气领域的重点研究和前沿进展,及时刊载和报道该领域的研究成果,致力于成为该领域同行进行快速学术交流的信息窗口与平台。该刊2023年影响因子为1.6。CiteScore指数值为3.3。
Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged.
Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.
《微电子可靠性》致力于传播微电子设备、电路和系统可靠性的最新研究成果和相关信息,涵盖材料、工艺和制造、设计、测试和操作等各个方面。该期刊涵盖以下主题:测量、理解和分析;评估和预测;建模和仿真;方法和缓解。将可靠性与微电子工程其他重要领域(如设计、制造、集成、测试和现场操作)相结合的论文也将受到欢迎,并且特别鼓励报告该领域和特定应用领域案例研究的实践论文。
大多数被接受的论文将以研究论文的形式发表,描述重大进展和已完成的工作。回顾普遍感兴趣的重要发展主题的论文可能会被接受作为评论论文发表。更初步的紧急通讯和关于当前感兴趣的已完成实践工作的简短报告可能会被考虑作为研究笔记发表。所有投稿均需经过该领域顶尖专家的同行评审。
《Microelectronics Reliability》(微电子可靠性)编辑部通讯方式为PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时频繁碰壁,节省您的宝贵时间,有效提升发表机率,确保SCI检索(检索不了全额退款)。我们视信誉为生命,多方面确保文章安全保密,在任何情况下都不会泄露您的个人信息或稿件内容。
2023年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
2022年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
2021年12月旧的升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
2021年12月基础版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
2021年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
2020年12月旧的升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
基础版:即2019年12月17日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;将JCR中所有期刊分为13个大类,期刊范围只有SCI期刊。
升级版:即2020年1月13日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表升级版(试行)》,升级版采用了改进后的指标方法体系对基础版的延续和改进,影响因子不再是分区的唯一或者决定性因素,也没有了分区的IF阈值期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。期刊范围有SCI期刊、SSCI期刊。从2022年开始,分区表将只发布升级版结果,不再有基础版和升级版之分,基础版和升级版(试行)将过渡共存三年时间。
JCR分区等级:Q3
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 239 / 352 |
32.2% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 113 / 140 |
19.6% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 131 / 179 |
27.1% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 272 / 354 |
23.31% |
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 140 |
18.93% |
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 140 / 179 |
22.07% |
Gold OA文章占比 | 研究类文章占比 | 文章自引率 |
14.36% | 98.39% | 0.12... |
开源占比 | 出版国人文章占比 | OA被引用占比 |
0.06... | -- | 0.02... |
名词解释:JCR分区在学术期刊评价、科研成果展示、科研方向引导以及学术交流与合作等方面都具有重要的价值。通过对期刊影响因子的精确计算和细致划分,JCR分区能够清晰地反映出不同期刊在同一学科领域内的相对位置,从而帮助科研人员准确识别出高质量的学术期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指数 | ||||||||||||||||||||||||||||
3.3 | 0.394 | 0.801 |
|
名词解释:CiteScore是基于Scopus数据库的全新期刊评价体系。CiteScore 2021 的计算方式是期刊最近4年(含计算年度)的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。CiteScore基于全球最广泛的摘要和引文数据库Scopus,适用于所有连续出版物,而不仅仅是期刊。目前CiteScore 收录了超过 26000 种期刊,比获得影响因子的期刊多13000种。被各界人士认为是影响因子最有力的竞争对手。
历年中科院分区趋势图
历年IF值(影响因子)
历年引文指标和发文量
历年自引数据
2019-2021年文章引用数据
文章引用名称 | 引用次数 |
Comphy - A compact-physics framework for... | 25 |
An improved unscented particle filter ap... | 25 |
Threshold voltage peculiarities and bias... | 21 |
Identification of oxide defects in semic... | 16 |
Controversial issues in negative bias te... | 13 |
An Android mutation malware detection ba... | 13 |
A review of NBTI mechanisms and models | 12 |
New dynamic electro-thermo-optical model... | 12 |
Measurement considerations for evaluatin... | 11 |
Border traps and bias-temperature instab... | 10 |
2019-2021年文章被引用数据
被引用期刊名称 | 数量 |
MICROELECTRON RELIAB | 512 |
IEEE T ELECTRON DEV | 235 |
J MATER SCI-MATER EL | 205 |
IEEE ACCESS | 197 |
IEEE T COMP PACK MAN | 120 |
IEEE T POWER ELECTR | 120 |
J ELECTRON MATER | 103 |
J ALLOY COMPD | 101 |
IEEE T DEVICE MAT RE | 100 |
ENERGIES | 87 |
2019-2021年引用数据
引用期刊名称 | 数量 |
MICROELECTRON RELIAB | 512 |
IEEE T NUCL SCI | 360 |
IEEE T ELECTRON DEV | 270 |
J APPL PHYS | 142 |
APPL PHYS LETT | 135 |
IEEE T POWER ELECTR | 120 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 101 |
IEEE T COMP PACK MAN | 98 |
J ELECTRON MATER | 93 |
IEEE T DEVICE MAT RE | 88 |
中科院分区:1区
影响因子:7.7
审稿周期:约Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 约2.7个月 约7.8周
中科院分区:1区
影响因子:8.1
审稿周期:约Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 约4.1个月 约6.8周
中科院分区:3区
影响因子:3.3
审稿周期:约17.72天 11 Weeks
中科院分区:2区
影响因子:5.8
审稿周期: 约2.4个月 约7.6周
中科院分区:2区
影响因子:5.1
审稿周期: 约1.9个月 约2.7周
中科院分区:1区
影响因子:98.4
审稿周期: 约3月
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