首页 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 工程技术 > 中科院2区 > JCRQ2 > 期刊介绍
评价信息:
影响因子:4.1
年发文量:477
《IEEE 电子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本以工程技术-工程:电子与电气综合研究为特色的国际期刊。该刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商创刊于1980年,刊期Monthly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-工程:电子与电气领域的重点研究和前沿进展,及时刊载和报道该领域的研究成果,致力于成为该领域同行进行快速学术交流的信息窗口与平台。该刊2023年影响因子为4.1。CiteScore指数值为8.2。
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创性和重要贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电学、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率集成电路和微传感器。
《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 电子器件字母)编辑部通讯方式为IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时频繁碰壁,节省您的宝贵时间,有效提升发表机率,确保SCI检索(检索不了全额退款)。我们视信誉为生命,多方面确保文章安全保密,在任何情况下都不会泄露您的个人信息或稿件内容。
2023年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
2022年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
2021年12月旧的升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
2021年12月基础版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
2021年12月升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
2020年12月旧的升级版
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 2区 | 否 | 否 |
基础版:即2019年12月17日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;将JCR中所有期刊分为13个大类,期刊范围只有SCI期刊。
升级版:即2020年1月13日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表升级版(试行)》,升级版采用了改进后的指标方法体系对基础版的延续和改进,影响因子不再是分区的唯一或者决定性因素,也没有了分区的IF阈值期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。期刊范围有SCI期刊、SSCI期刊。从2022年开始,分区表将只发布升级版结果,不再有基础版和升级版之分,基础版和升级版(试行)将过渡共存三年时间。
JCR分区等级:Q2
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4% |
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39% |
Gold OA文章占比 | 研究类文章占比 | 文章自引率 |
4.62% | 100.00% | 0.10... |
开源占比 | 出版国人文章占比 | OA被引用占比 |
0.05... | 0.35 | -- |
名词解释:JCR分区在学术期刊评价、科研成果展示、科研方向引导以及学术交流与合作等方面都具有重要的价值。通过对期刊影响因子的精确计算和细致划分,JCR分区能够清晰地反映出不同期刊在同一学科领域内的相对位置,从而帮助科研人员准确识别出高质量的学术期刊。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指数 | ||||||||||||
8.2 | 1.25 | 1.5 |
|
名词解释:CiteScore是基于Scopus数据库的全新期刊评价体系。CiteScore 2021 的计算方式是期刊最近4年(含计算年度)的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。CiteScore基于全球最广泛的摘要和引文数据库Scopus,适用于所有连续出版物,而不仅仅是期刊。目前CiteScore 收录了超过 26000 种期刊,比获得影响因子的期刊多13000种。被各界人士认为是影响因子最有力的竞争对手。
历年中科院分区趋势图
历年IF值(影响因子)
历年引文指标和发文量
历年自引数据
2019-2021年国家/地区发文量统计
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 577 |
USA | 282 |
South Korea | 174 |
Taiwan | 123 |
Japan | 65 |
England | 60 |
India | 49 |
Belgium | 37 |
GERMANY (FED REP GER) | 37 |
France | 32 |
2019-2021年机构发文量统计
机构 | 数量 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 49 |
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO... | 48 |
PEKING UNIVERSITY | 42 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... | 42 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... | 36 |
IMEC | 35 |
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
2019-2021年文章引用数据
文章引用名称 | 引用次数 |
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist... | 38 |
An Artificial Neuron Based on a Threshol... | 36 |
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O... | 28 |
Spin Logic Devices via Electric Field Co... | 27 |
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS... | 27 |
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran... | 26 |
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W... | 24 |
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie... | 24 |
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod... | 23 |
First Demonstration of a Logic-Process C... | 22 |
2019-2021年文章被引用数据
被引用期刊名称 | 数量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
JPN J APPL PHYS | 594 |
APPL PHYS LETT | 460 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
APPL PHYS EXPRESS | 366 |
SEMICOND SCI TECH | 277 |
J APPL PHYS | 268 |
SOLID STATE ELECTRON | 257 |
ECS J SOLID STATE SC | 249 |
2019-2021年引用数据
引用期刊名称 | 数量 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
APPL PHYS LETT | 812 |
J APPL PHYS | 318 |
ADV MATER | 217 |
NANO LETT | 150 |
ACS APPL MATER INTER | 142 |
SCI REP-UK | 138 |
NATURE | 132 |
APPL PHYS EXPRESS | 119 |
中科院分区:1区
影响因子:7.7
审稿周期:约Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 约2.7个月 约7.8周
中科院分区:1区
影响因子:8.1
审稿周期:约Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 约4.1个月 约6.8周
中科院分区:3区
影响因子:3.3
审稿周期:约17.72天 11 Weeks
中科院分区:2区
影响因子:5.8
审稿周期: 约2.4个月 约7.6周
中科院分区:2区
影响因子:5.1
审稿周期: 约1.9个月 约2.7周
中科院分区:1区
影响因子:98.4
审稿周期: 约3月
若用户需要出版服务,请联系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。