首页 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 工程技术 > 中科院2区 > JCRQ2 > 期刊介绍

Ieee Electron Device Letters

评价信息:

影响因子:4.1

年发文量:477

IEEE 电子器件字母 SCIE

Ieee Electron Device Letters

《IEEE 电子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本以工程技术-工程:电子与电气综合研究为特色的国际期刊。该刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商创刊于1980年,刊期Monthly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-工程:电子与电气领域的重点研究和前沿进展,及时刊载和报道该领域的研究成果,致力于成为该领域同行进行快速学术交流的信息窗口与平台。该刊2023年影响因子为4.1。CiteScore指数值为8.2。

投稿咨询 加急发表

期刊简介预计审稿时间: 约1.3个月

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创性和重要贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电学、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率集成电路和微传感器。

《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 电子器件字母)编辑部通讯方式为IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时频繁碰壁,节省您的宝贵时间,有效提升发表机率,确保SCI检索(检索不了全额退款)。我们视信誉为生命,多方面确保文章安全保密,在任何情况下都不会泄露您的个人信息或稿件内容。

中科院分区

2023年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

2022年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

2021年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

2021年12月基础版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

2021年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区

2020年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
名词解释:

基础版:即2019年12月17日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;将JCR中所有期刊分为13个大类,期刊范围只有SCI期刊。

升级版:即2020年1月13日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表升级版(试行)》,升级版采用了改进后的指标方法体系对基础版的延续和改进,影响因子不再是分区的唯一或者决定性因素,也没有了分区的IF阈值期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。期刊范围有SCI期刊、SSCI期刊。从2022年开始,分区表将只发布升级版结果,不再有基础版和升级版之分,基础版和升级版(试行)将过渡共存三年时间。

JCR分区(2023-2024年最新版)

JCR分区等级:Q2

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

Gold OA文章占比 研究类文章占比 文章自引率
4.62% 100.00% 0.10...
开源占比 出版国人文章占比 OA被引用占比
0.05... 0.35 --

名词解释:JCR分区在学术期刊评价、科研成果展示、科研方向引导以及学术交流与合作等方面都具有重要的价值。通过对期刊影响因子的精确计算和细致划分,JCR分区能够清晰地反映出不同期刊在同一学科领域内的相对位置,从而帮助科研人员准确识别出高质量的学术期刊。

CiteScore 指数(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指数
8.2 1.25 1.5
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

名词解释:CiteScore是基于Scopus数据库的全新期刊评价体系。CiteScore 2021 的计算方式是期刊最近4年(含计算年度)的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。CiteScore基于全球最广泛的摘要和引文数据库Scopus,适用于所有连续出版物,而不仅仅是期刊。目前CiteScore 收录了超过 26000 种期刊,比获得影响因子的期刊多13000种。被各界人士认为是影响因子最有力的竞争对手。

数据趋势图

历年中科院分区趋势图

历年IF值(影响因子)

历年引文指标和发文量

历年自引数据

发文数据

2019-2021年国家/地区发文量统计

国家/地区 数量
CHINA MAINLAND 577
USA 282
South Korea 174
Taiwan 123
Japan 65
England 60
India 49
Belgium 37
GERMANY (FED REP GER) 37
France 32

2019-2021年机构发文量统计

机构 数量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM 70
XIDIAN UNIVERSITY 56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO... 48
PEKING UNIVERSITY 42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN... 42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 36
IMEC 35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY 35

2019-2021年文章引用数据

文章引用名称 引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist... 38
An Artificial Neuron Based on a Threshol... 36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O... 28
Spin Logic Devices via Electric Field Co... 27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS... 27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran... 26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W... 24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie... 24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod... 23
First Demonstration of a Logic-Process C... 22

2019-2021年文章被引用数据

被引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 1587
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
JPN J APPL PHYS 594
APPL PHYS LETT 460
IEEE J ELECTRON DEVI 445
APPL PHYS EXPRESS 366
SEMICOND SCI TECH 277
J APPL PHYS 268
SOLID STATE ELECTRON 257
ECS J SOLID STATE SC 249

2019-2021年引用数据

引用期刊名称 数量
IEEE ELECTR DEVICE L 1317
IEEE T ELECTRON DEV 865
APPL PHYS LETT 812
J APPL PHYS 318
ADV MATER 217
NANO LETT 150
ACS APPL MATER INTER 142
SCI REP-UK 138
NATURE 132
APPL PHYS EXPRESS 119

相关期刊

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。