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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

评价信息:

影响因子:2.5

年发文量:72

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本以工程技术-工程:电子与电气综合研究为特色的国际期刊。该刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商创刊于2001年,刊期Quarterly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-工程:电子与电气领域的重点研究和前沿进展,及时刊载和报道该领域的研究成果,致力于成为该领域同行进行快速学术交流的信息窗口与平台。该刊2023年影响因子为2.5。CiteScore指数值为4.8。

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期刊简介预计审稿时间: 较慢,6-12周

The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

出版物的范围包括但不限于以下方面的可靠性:设备、材料、工艺、接口、集成微系统(包括 MEMS 和传感器)、晶体管、技术(CMOS、BiCMOS 等)、集成电路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶体管应用。从概念阶段到研发再到制造规模,在每个阶段对这些实体的可靠性进行测量和理解,为成功将产品推向市场提供了设备、材料、工艺、封装和其他必需品的可靠性的整体数据库。这个可靠性数据库是满足客户期望的优质产品的基础。这样开发的产品具有高可靠性。高质量将实现,因为产品弱点将被发现(根本原因分析)并在最终产品中设计出来。这个不断提高可靠性和质量的过程将产生卓越的产品。归根结底,可靠性和质量不是一回事;但从某种意义上说,我们可以做或必须做一切事情来保证产品在客户条件下在现场成功运行。我们的目标是抓住这些进步。另一个目标是关注电子材料和设备可靠性的最新进展,并提供对影响可靠性的基本现象的基本理解。此外,该出版物还是可靠性跨学科研究的论坛。总体目标是提供前沿/最新信息,这些信息与可靠产品的创造至关重要。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)编辑部通讯方式为IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时频繁碰壁,节省您的宝贵时间,有效提升发表机率,确保SCI检索(检索不了全额退款)。我们视信誉为生命,多方面确保文章安全保密,在任何情况下都不会泄露您的个人信息或稿件内容。

中科院分区

2023年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

2022年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

2021年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

2021年12月基础版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区

2021年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

2020年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区 4区
名词解释:

基础版:即2019年12月17日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;将JCR中所有期刊分为13个大类,期刊范围只有SCI期刊。

升级版:即2020年1月13日,正式发布的《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表升级版(试行)》,升级版采用了改进后的指标方法体系对基础版的延续和改进,影响因子不再是分区的唯一或者决定性因素,也没有了分区的IF阈值期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。期刊范围有SCI期刊、SSCI期刊。从2022年开始,分区表将只发布升级版结果,不再有基础版和升级版之分,基础版和升级版(试行)将过渡共存三年时间。

JCR分区(2023-2024年最新版)

JCR分区等级:Q2

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Gold OA文章占比 研究类文章占比 文章自引率
24.52% 97.22% 0.05
开源占比 出版国人文章占比 OA被引用占比
0.05... 0.14 --

名词解释:JCR分区在学术期刊评价、科研成果展示、科研方向引导以及学术交流与合作等方面都具有重要的价值。通过对期刊影响因子的精确计算和细致划分,JCR分区能够清晰地反映出不同期刊在同一学科领域内的相对位置,从而帮助科研人员准确识别出高质量的学术期刊。

CiteScore 指数(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指数
4.8 0.436 1.148
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

名词解释:CiteScore是基于Scopus数据库的全新期刊评价体系。CiteScore 2021 的计算方式是期刊最近4年(含计算年度)的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。CiteScore基于全球最广泛的摘要和引文数据库Scopus,适用于所有连续出版物,而不仅仅是期刊。目前CiteScore 收录了超过 26000 种期刊,比获得影响因子的期刊多13000种。被各界人士认为是影响因子最有力的竞争对手。

数据趋势图

历年中科院分区趋势图

历年IF值(影响因子)

历年引文指标和发文量

历年自引数据

发文数据

2019-2021年国家/地区发文量统计

国家/地区 数量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12

2019-2021年机构发文量统计

机构 数量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I... 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF... 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6

2019-2021年文章引用数据

文章引用名称 引用次数
A First-Principles Study of the SF6 Deco... 23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its... 9
Comparative Thermal and Structural Chara... 9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted... 8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T... 7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi... 7
Impacts of Process and Temperature Varia... 6
Comparative Study of Reliability of Ferr... 6
A Compact and Self-Isolated Dual-Directi... 6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat... 6

2019-2021年文章被引用数据

被引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 127
IEEE T DEVICE MAT RE 93
MICROELECTRON RELIAB 88
IEEE ACCESS 47
IEEE T NUCL SCI 37
IEEE ELECTR DEVICE L 36
IEICE ELECTRON EXPR 35
IEEE T POWER ELECTR 31
J MATER SCI-MATER EL 31
ELECTRONICS-SWITZ 30

2019-2021年引用数据

引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 167
IEEE T NUCL SCI 116
MICROELECTRON RELIAB 100
IEEE T DEVICE MAT RE 93
IEEE ELECTR DEVICE L 69
APPL PHYS LETT 59
J APPL PHYS 44
IEEE T COMP PACK MAN 24
IEEE J SOLID-ST CIRC 23
IEEE T POWER ELECTR 23

相关期刊

免责声明

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